Datasets:

ascolda

/

ru_en_Crystallography_and_Spectroscopy

like 1

{ "ru": "изменение температуры на один градус в слое в одну радиационную единицу приводит к изменению ФПР на (0.2–0.6)% при возмущениях атмосферы в приземном слое t1 (0–0.03) рад. ед. и 0.06% — для t1 4 рад. ед.;", "en": "(i) a change in temperature by one degree in a layer of one radiation length unit leads to a change in the LDF by 0.2–0.6% at atmospheric perturbations in the near-Earth layer t1 0–0.03 rad. units and by 0.06% for t1 4 rad. units;" }

{ "ru": "увеличение температуры атмосферы приводит к уменьшению плотности частиц в области r (10–20) м и ее росту – при r > 40 м.", "en": "(ii) an increase in the atmospheric temperature leads to a decrease in the particle density in the region r ≤ 10–20 m and to its increase at r > 40 m." }

{ "ru": "В области r (20–40) м температурный эффект ФПР электронов минимален.", "en": "In the region r 20–40 m, the temperature effect of the electron LDF is minimum." }

{ "ru": "Для анализа влияния изменения температурного профиля атмосферы на пространственные характеристики были рассчитаны также интегральные температурные коэффициенты = Коэффициенты имеющие размерность C–1, описывают относительное изменение характеристик ливня при изменении температуры на один градус на всех высотах атмосферы до уровня t'.", "en": "To analyze the influence of the change in the atmosphere temperature profile on the spatial characteristics, we also calculated the integral temperature coefficients = Coefficients which have dimension of C–1, describe the relative change in the shower characteristics with a change in the temperature by one degree at all atmosphere heights up to t'." }

{ "ru": "Данные расчетов показали, что в области r 300 м более 90% вклада в температурный эффект обусловлено вариациями температуры атмосферы в слое толщиной t (6–8) рад. ед. над уровнем наблюдения.", "en": "The calculation data showed that, in the region r ≥ 300 m, the main (more than 90%) contribution to the temperature effect is due to variations in the atmospheric temperature in a layer with thickness Δt ~ 6–8 rad. units above the observation level." }

{ "ru": "МЕТОД КОРРЕКЦИИ ФПР ЭЛЕКТРОНОВ ШАЛ НА ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ЭФФЕКТ", "en": "METHOD FOR CORRECTING THE LDF OF EAS ELECTRONS FOR THE TEMPERATURE EFFECT" }

{ "ru": "Анализ поведения температурных коэффициентов показал, что интеграл описывающий в линейном приближении изменение ФПР электронов при изменении температурного профиля T(t1) T(t1) + T(t1) в нижней тропосфере в области [0, t], при t (6–8) рад. ед. может быть аппроксимирован произведением интегрального температурного коэффициента на среднюю вариацию температуры = в этом слое, т.е. может быть записан в виде", "en": "An analysis of the behavior of the temperature coefficients showed that the integral describing (within the linear approximation) the change in the electron LDF with a change in the temperature profile T(t1) T(t1) + T(t1) in the lower troposphere in the region [0, t], can be approximated by the product of the integral temperature coefficient and the mean temperature variation = in this layer at t ~ 6–8 rad. units; i.e., it can be presented in the form" }

{ "ru": "Равенство (4) позволяет определить ФПР электронов f(r, E, + ) в атмосфере с температурным профилем T(t) + T(t) через ФПР в базовой изотермической атмосфере следующим образом:", "en": "Equality (4) makes it possible to determine the electrons LDF f(r, E, + ) in the atmosphere with the temperature profile T(t) + T(t) in terms of the LDF in the basic isothermal atmosphere as follows:" }

{ "ru": "В частности, относительное изменение ФПР электронов на расстоянии r = 600 м в вертикальных ШАЛ от протонов энергии (106–108) ГэВ дается соотношением", "en": "In particular, the relative change in the electron LDF at distance r = 600 m in vertical EASs generated by protons with energy 106–108 GeV is given by the relation" }

{ "ru": "Поскольку вариации в слое (6–8) рад. ед. в районах расположения Якутской комплексной установки ШАЛ и обсерватории TAIGA достигают 30 K (см., например, [13]), изменения ФПР электронов могут превышать ~10%.", "en": "Since variations in a layer of ~6–8 rad. units in location areas of the Yakutsk EAS array and TAIGA observatory can be as high as 30 K (see, e.g., [13]), the changes in the electron LDF may exceed ~10%." }

{ "ru": "ЗАКЛЮЧЕНИЕ", "en": "CONCLUSIONS" }

{ "ru": "В работе впервые получены коэффициенты дифференциальной чувствительности пространственного распределения электронной компоненты ШАЛ к вариациям температурного профиля атмосферы.", "en": "Coefficients of the differential sensitivity of the lateral distribution of the EAS electronic component to variations in the atmosphere temperature profile were obtained for the first time." }

{ "ru": "Показано, что вариации пространственного распределения ШАЛ определяются, в основном, изменениями температуры атмосферы в слое 6–8 рад. ед. над уровнем наблюдения.", "en": "It was shown that variations in the EAS lateral distribution are mainly determined by the changes in the atmospheric temperature in a layer of 6–8 rad. units above the observation level." }

{ "ru": "Работа выполнена при частичной поддержке Минобрнауки РФ (государственное задание на проведение фундаментальных и прикладных научных исследований, выполняемых в АлтГУ, проект № 3.5939.2017/8.9).", "en": "This study was supported in part by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (government contract for basic and applied research at the Altai State University, project no. 3.5939.2017/8.9)." }

{ "ru": "РЕАЛЬНАЯ СТРУКТУРА КРИСТАЛЛОВ", "en": "REAL STRUCTURE OF CRYSTALS" }

{ "ru": "ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ПРЕЦИПИТАЦИЯ ПРИМЕСЕЙ В РАМКАХ МОДЕЛИ ВЛАСОВА ДЛЯ ТВЕРДЫХ ТЕЛ", "en": "High-Temperature Precipitation of Impurities within the Vlasov Model for Solids" }

{ "ru": "Показано, что модель Власова для твердого тела описывает процессы комплексообразования при выращивании реальных кристаллов с учетом тепловых условий роста.", "en": "It is shown that the Vlasov model for a solid describes the complexing processes when growing real crystals with allowance for the thermal growth conditions." }

{ "ru": "Позволяет совместно с классической теорией зарождения и роста частиц второй фазы в твердых телах проводить расчет дефектной структуры кристаллов, которая образовалась в процессе их роста.", "en": "It makes it possible (along with the classical theory of nucleation and growth of second-phase particles in solids) to calculate the defect crystal structure, which was formed during the growth." }

{ "ru": "Установлено, что высокотемпературная преципитация примеси непосредственно связана с последующей трансформацией дефектной структуры в процессе производства кремниевых приборов.", "en": "It is established that the high-temperature impurity precipitation is directly related to the subsequent transformation of the defect structure during manufacturing of silicon devices." }

{ "ru": "Предложена качественная модель образования электрических центров, которая напрямую связывает их происхождение с исходной дефектной структурой кремния.", "en": "A qualitative model of the formation of electric centers is proposed, which directly relates their origin to the initial defect structure of silicon." }

{ "ru": "Теоретическое описание образования и трансформации дефектной структуры твердых тел является актуальной задачей современной кристаллографии.", "en": "Theoretical description of the formation and transformation of the defect solid-state structure is an urgent problem of modern crystallography." }

{ "ru": "Под термином “дефектная структура” следует понимать динамическую систему взаимодействующих между собой структурных несовершенств, которая в зависимости от различных внешних условий (температуры, облучения и других факторов) определяет электрические, механические, оптические и другие свойства кристаллов и приборов на их основе.", "en": "The term \"defect structure\" is considered to be a dynamic system of interacting structural defects, which, depending on various external conditions (temperature, irradiation, etc.), determines the electrical, mechanical, optical, and some other properties of crystals and related devices." }

{ "ru": "В последнее время удалось достичь значительного прогресса в теоретическом описании дефектной структуры наиболее востребованного и совершенного материала электронной техники – полупроводникового кремния.", "en": "Recently, a great advance has been made in the theoretical description of the defect structure of the most popular and high-quality material of electronic engineering (semiconductor silicon)." }

{ "ru": "Такое описание стало возможным на основе двух гносеологически альтернативных подходов – классического и вероятностного.", "en": "This description is based on two gnoseologically alternative approaches: classical and probabilistic." }

{ "ru": "До последнего времени теоретическое описание атомной структуры кристалла базировалось на классическом (борновском) подходе [1].", "en": "Until recently, the theoretical description of the atomic crystal structure was based on the classical (Born) approach [1]." }

{ "ru": "Классический подход постулирует понятие кристаллической решетки, предусматривает локализацию каждого атома в окрестности фиксированного узла кристаллической решетки, непротиворечивость введения понятия вероятности и механического описания поведения частиц, предполагает, что совокупность атомов в кристалле есть целое число.", "en": "The classical approach postulates the concept of lattice, stipulates the localization of each atom in the vicinity of a fixed lattice site, provides the consistency of introduction of the concept of probability and mechanical description of particle behavior, and suggests that the set of atoms in the crystal is an integer." }

{ "ru": "Важный результат борновского подхода – создание для реальных кристаллов классической теории зарождения и роста частиц второй фазы в твердых телах [2].", "en": "An important result of the Born approach is the development of the classical theory of nucleation and growth of second-phase particles in solids for real crystals [2]." }

{ "ru": "Однако эта теория имеет существенный недостаток, так как не может объяснить процессы преципитации примеси во время роста кристалла.", "en": "However, this theory has a serious drawback, because it cannot explain the processes of impurity precipitation during the crystal growth." }

{ "ru": "Поэтому предполагается, что преципитация происходит только во время термической обработки кристаллов, а дефектообразование во время роста кристалла обусловлено распадом пересыщенного раствора собственных точечных дефектов [3].", "en": "Therefore, it is assumed that the precipitation occurs only during heat treatment of a crystal, and the defect formation during the crystal growth is due to decomposition of the supersaturated solution of intrinsic point defects [3]." }

{ "ru": "Несоответствие между результатами экспериментальных исследований и теоретическими разработками было устранено только в диффузионной модели образования и трансформации ростовых микродефектов, которая исходила из основных принципов классической теории зарождения и роста частиц второй фазы в твердых телах [4].", "en": "The inconsistency between the experimental results and theoretical considerations was eliminated only in the diffusion model of formation and transformation of grown-in microdefects, which was based on the main principles of the classical theory of nucleation and growth of second-phase particles in solids [4]." }

{ "ru": "Теоретическое описание дефектообразования во время роста полупроводникового кремния в рамках классического подхода показывает, что взаимодействие “примесь–собственный точечный дефект” носит фундаментальный характер и определяет дефектную структуру кристалла от начала кристаллизации до создания готового прибора.", "en": "The theoretical description of defect formation during the growth of semiconductor silicon within the classical approach shows that the impurity–intrinsic point defect interaction has a fundamental character and determines the defect structure of the crystal from the crystallization onset to the production of a commercial device." }

{ "ru": "Этого результата удалось достичь за счет решения двух задач: отказа от модели быстрой рекомбинации собственных точечных дефектов вблизи фронта кристаллизации [5]; создания модели высокотемпературной преципитации [6].", "en": "This result was achieved by the solution of two problems: refusal from the model of fast recombination of intrinsic point defects near the crystal–melt interface [5] and development of the high-temperature precipitation model [6]." }

{ "ru": "Модель высокотемпературной преципитации была построена путем введения в исходные расчетные уравнения скорости роста кристалла (Vg) и осевого температурного градиента (Ga): , где Tm – температура плавления (кристаллизации) кристалла; t – время, T – температура.", "en": "The high-temperature precipitation model was constructed by introducing the crystal growth rate Vg and axial temperature gradient Ga into the initial calculation equations: , where Tm is the crystal melting (crystallization) temperature; t is time, and T is temperature." }

{ "ru": "В обзоре [4] рассмотрены основные принципы и положения диффузионной модели образования и трансформации исходной дефектной структуры полупроводникового кремния в рамках классического подхода.", "en": "The basic principles and concepts of the diffusion model of formation and transformation of the initial defect structure of semiconductor silicon were considered in [4] within the classical approach." }

{ "ru": "В середине прошлого столетия русский ученый А.А. Власов выдвинул вероятностный подход для описания свойств твердых тел (модель Власова для твердого тела).", "en": "In the middle of the last century, Russian scientist A.A. Vlasov proposed a probabilistic approach to describe properties of solids (Vlasov model for solids)." }

{ "ru": "При таком подходе периодическая структура кристаллов не является следствием ограничений на свободу перемещения атомов по кристаллу, а обусловлена специфичностью статистических законов движения частиц, согласовывающих периодическую структуру со свободой перемещения атомов, в результате чего вероятность встретить атом в междоузлиях всегда отлична от нуля [7].", "en": "Within this approach, the periodic crystal structure is due to the peculiarity of the statistical particle-motion laws matching the periodic structure and atomic motion freedom rather than the limitations on atomic motion freedom throughout the crystal; as a result, the probability of finding an atom at interstitial sites is always nonzero [7]." }

{ "ru": "Вероятностный подход основывается на решении кинетического уравнения Власова, которое представляет собой систему уравнений, описывающих эволюцию континуума частиц с потенциалом парного взаимодействия [8, 9].", "en": "The probabilistic approach is based on the solution of the kinetic Vlasov equation, which is a system of equations describing the evolution of continuum of particles with the pair interaction potential [8, 9]." }

{ "ru": "Власов предполагал, что метод, примененный им к плазме, носит универсальный характер и его можно применить к описанию газов, жидкостей и твердых тел.", "en": "Vlasov suggested that the method, which he applied to plasma, is universal and can be used to describe gases, liquids, and solids." }

{ "ru": "Цель настоящей работы – анализ решения уравнения Власова для твердого тела на примерах образования комплексов “примесь–собственный точечный дефект” в процессе роста кристалла и во время температурной обработки полупроводникового кремния.", "en": "The purpose of this study was to analyze the solution of the Vlasov equation for solids by the example of formation of impurity–intrinsic point defect complexes during the crystal growth and temperature treatment of semiconductor silicon." }

{ "ru": "Теория Власова для твердого тела впервые полностью изложена в [10].", "en": "The Vlasov theory for solids was completely presented for the first time in [10]." }

{ "ru": "В общем случае уравнение Власова описывает эволюцию функции распределения f(x, , t) континуума взаимодействующих частиц в евклидовом пространстве по скорости координате момент времени t.", "en": "In the general case, the Vlasov equation describes the evolution of the distribution function f(x, , t) of continuum of interacting particles in the Euclidean space over velocity v and coordinate x at instant t." }

{ "ru": "В своем рассмотрении Власов исходил из следующих идей: пространственное периодическое распределение есть одно из частных состояний движения частиц; определенное состояние движения каждой частицы совокупности слабо зависит от общего числа частиц.", "en": "Vlasov carried out the considerations proceeding from the following concepts: the spatial periodic distribution is one of the particular states of particle motion and certain state of motion for each particle of the set depends weakly on the total number of particles." }

{ "ru": "То есть можно говорить о кристалле, состоящем из двух атомов.", "en": "In other words, one can consider a crystal consisting of two atoms." }

{ "ru": "Для описания стационарных свойств кристалла используют понятие плотности распределения частиц .", "en": "The stationary properties of a crystal are described using the concept of particle distribution density ." }

{ "ru": "Власов показал, что в основе нелокальной модели кристалла лежат следующие нелинейные уравнения, дающие возможность вычислять молекулярный потенциал и плотность местоположения частиц в условиях температурного равновесия [10]:", "en": "Vlasov showed that the nonlocal crystal model is underlain by the following nonlinear equations, which make it possible to calculate the molecular potential and the density of particle location under temperature equilibrium conditions [10]:" }

{ "ru": "Исходные уравнения представляют уравнения для двух частиц в условиях стационарного состояния [10].", "en": "The initial equations are equations for two particles under the stationary-state conditions [10]." }

{ "ru": "Уравнение (2) не типично для теории, оперирующей с точечными частицами.", "en": "Equation (2) is atypical for the theory operating with point particles." }

{ "ru": "Факт существования задачи нахождения собственных значений нелинейных интегральных уравнений для двух частиц связан с выходом в иную область в сравнении с теориями локализованных частиц.", "en": "The fact that there is a problem of determining eigenvalues of nonlinear integral equations for two particles is related to the transition to another domain, in comparison with the theories of localized particles." }

{ "ru": "Математически уравнения типа (2) близки к уравнениям типа Гаммерштейна, но отличаются от них бесконечными пределами интегрирования и типом ядер [10].", "en": "Mathematically, equations in the form (2) are close to Hammerstein equations with the following differences: they have infinite integration limits and different kernel type [10]." }

{ "ru": "Под характеристическими числами здесь следует понимать такие значения некоторого параметра , при которых уравнения типа (2) обладают решениями, отличными от тривиальных.", "en": "Here, the characteristic numbers are considered to be the values of some parameter λ, at which equations in the form (2) have nontrivial solutions." }

{ "ru": "Под тривиальными понимаются решения уравнений типа (2), соответствующие случаю равномерной плотности [10].", "en": "Trivial solutions are the solutions to Eqs. (2) corresponding to the case of uniform density [10]." }

{ "ru": "Характеристическое число определяется [10] из основного критерия существования кристаллического состояния, условие кристаллизации может быть записано следующим образом:", "en": "Characteristic number λ is determined [10] from the main criterion of existence of the crystalline state; the crystallization condition can be written as follows:" }

{ "ru": "В случае кристалла Власов показал, что пространство состояний определяется через температурные изменения [10].", "en": "Vlasov showed for the case of crystal that the space of states is determined in terms of temperature changes [10]." }

{ "ru": "Плотность распределения комплексов можно представить в виде функции температуры охлаждения кристалла", "en": "The complex distribution density can be presented as a function of the crystal cooling temperature:" }

{ "ru": "где U1min и U2min – минимумы межатомных потенциалов в комплексах кремний–кислород и кремний–углерод соответственно.", "en": "where U1min and U2min are the minima of the interatomic potentials in, respectively, silicon–oxygen and silicon–carbon complexes." }

{ "ru": "Власов показал, что пространственное периодическое распределение – это одно из частных состояний движения частицы [10].", "en": "Vlasov showed that the spatial periodic distribution is one of the particular states of particle motion [10]." }

{ "ru": "Такое решение было получено для идеального (бездефектного) кристалла.", "en": "This solution was obtained for an ideal (defect-free) crystal." }

{ "ru": "Дальнейшие исследования в этом направлении застопорились в основном по двум причинам.", "en": "Further studies in this field were hindered mainly for two reasons." }

{ "ru": "Объективной причиной были недостаточные на тот период знания о структурных дефектах в твердых телах и причинах их возникновения.", "en": "An objective reason was poorly studied structural defects in solids and causes for their occurrence." }

{ "ru": "Субъективной причиной было экстремально резкое отторжение идей Власова ведущими советскими и российскими теоретиками [11, 12].", "en": "A subjective reason was outright rejection of the Vlasov's concepts by leading Soviet and Russian theoreticians [11, 12]." }

{ "ru": "Через семь десятков лет, исходя из выводов диффузионной модели образования и трансформации ростовых микродефектов, была рассмотрена проблема комплексообразования в полупроводниковом кремнии в соответствии с моделью твердого тела Власова [13].", "en": "In seven decades, a problem of complexing in semiconductor silicon was considered in accordance with the Vlasov solid model proceeding from the conclusions of the diffusion model of formation and transformation of grown-in microdefects [13]." }

{ "ru": "Было показано, что эту модель можно применять не только для изучения гипотетических идеальных кристаллов, но и для описания образования дефектной структуры реальных кристаллов.", "en": "It was shown that this model can be applied not only for studying hypothetical ideal crystals but also for describing the defect-structure formation in real crystals." }

{ "ru": "В частности, был проведен расчет образования комплексов кремний–углерод и кремний–кислород во время охлаждения после выращивания с помощью модели образования кристалла Власова.", "en": "In particular, the formation of silicon–carbon and silicon–oxygen complexes during the cooling after the growth was calculated using the Vlasov crystallization model." }

{ "ru": "Взаимодействия между атомами веществ, а соответственно, и их свойства, определяются на основе информации о потенциале межатомного взаимодействия.", "en": "Interatomic interactions in materials and, accordingly, their properties are determined based on the information about the interatomic interaction potential." }

{ "ru": "Точный вид потенциала взаимодействия двух атомов определяют из квантово-механических расчетов.", "en": "The exact form of the interaction potential for two atoms is determined by quantum-mechanical calculations." }

{ "ru": "Получающиеся потенциалы обычно представляют функциями с большим количеством параметров, что затрудняет их аналитическое рассмотрение.", "en": "Generally, the potentials obtained are functions with many parameters, which are difficult for analytical consideration." }

{ "ru": "Поэтому оперируют модельными потенциалами, которые содержат небольшое количество параметров [13].", "en": "Therefore, one uses model potentials, which contain a less number of parameters [13]." }

{ "ru": "Для оценки параметров образования комплексов кремний–углерод и кремний–кислород межатомное взаимодействие представим в виде потенциала Ми–Леннард-Джонса:", "en": "To estimate the formation parameters of silicon–carbon and silicon–oxygen complexes, the interatomic interaction can be presented as the Mie–Lennard-Jones potential:" }

{ "ru": "Так как исследуемая система состоит из атомов разного сорта, значения перекрестных параметров потенциала определяли согласно комбинационному правилу Лоренца–Бертло [14].", "en": "Since the system under study consists of atoms of different types, the potential cross parameters were determined according to the Lorentz–Berthelot combining rule [14]." }

{ "ru": "Расчеты параметров потенциала дали следующие результаты: для комплекса кремний–углерод a = 2.345, b = 3.895, D = 2.922 эВ; для комплекса кремний–кислород a = 2.541, b = 4.101, D = 2.812 эВ.", "en": "The calculations yielded the following potential parameters: a = 2.345, b = 3.895, and D = 2.922 eV for the silicon–carbon complex and a = 2.541, b = 4.101, and D = 2.812 eV for the silicon–oxygen complex." }

{ "ru": "Тогда получаем для комплекса кремний–углерод U1min = 2.840 эВ, а для комплекса кремний–кислород U2min = 2.710 эВ.", "en": "Then we obtain U1min = 2.840 eV for the silicon–carbon complex and U2min = 2.710 eV for the silicon–oxygen complex." }

{ "ru": "Для определения характеристических чисел комплексов кремний–кислород (1) и кремний–углерод (2) используем уравнение (3) при числе частиц комплекса N = 2 и = [10].", "en": "To determine the characteristic numbers of the silicon–oxygen (λ1) and silicon–carbon (λ2) complexes, we use Eq. (3) at the number of complex particles N = 2 and = [10]." }

{ "ru": "Расчет дал следующие значения: и [13].", "en": "The calculation yielded the following values: and [13]." }

{ "ru": "Выявлено, что процесс комплексообразования начинается вблизи фронта кристаллизации.", "en": "It was revealed that the complexing process begins near the crystal–melt interface." }

{ "ru": "Следовательно, модель Власова для твердого тела описывает процессы комплексообразования при выращивании реальных кристаллов идентично классической теории зарождения и роста частиц второй фазы в твердых телах.", "en": "Therefore, the Vlasov model for a solid describes complexing processes during the growth of real crystals similarly to the classical theory of nucleation and growth of second-phase particles in solids." }

{ "ru": "Далее был предложен метод расчета исходной дефектной структуры кристаллов, который включает в себя модель Власова для твердых тел и классическую теорию зарождения и роста частиц второй фазы в твердых телах [15].", "en": "Furthermore, a method for calculating the initial defect crystal structure was proposed, which includes the Vlasov model for solids and the classical theory of nucleation and growth of second-phase particles in solids [15]." }

{ "ru": "КОМПЛЕКСООБРАЗОВАНИЕ ВО ВРЕМЯ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛА", "en": "COMPLEXING DURING THE CRYSTAL HEAT TREATMENT" }

{ "ru": "После процессов термической обработки различной длительности кристаллов кремния в температурном интервале 300–1200С наблюдаются значительные изменения их электрофизических и структурных свойств.", "en": "After subjecting to heat-treatment process with different durations in the temperature range of 300–1200°C, silicon crystals exhibit significant changes in the electrical and structural properties." }

{ "ru": "Как показывают многочисленные исследования, основной причиной изменения свойств кремния при термической обработке является трансформация исходной дефектной структуры [16, 17].", "en": "As was shown in numerous studies, the main reason for the change in the silicon properties upon heat treatment is transformation of the initial defect structure [16, 17]." }

{ "ru": "Изменение электрофизических свойств обусловлено образованием донорных (термодоноры-I и термодоноры-II) и акцепторных (термоакцепторы) центров.", "en": "The change in the electrical properties is due to the formation of donor (thermal donors I and thermal donors II) and acceptor (thermal acceptors) centers." }

{ "ru": "Термодоноры-I образуются при обработке в температурном интервале 350–550С и исчезают после непродолжительного отжига при температурах выше 550С.", "en": "Thermal donors I are formed during the treatment in the temperature range of 350–550°C and disappear after short annealing at temperatures above 550°C." }

{ "ru": "Обработка при более высокой температуре (600–800С) также приводит к появлению донорной активности (термодоноры-II или новые термодоноры), которые разрушаются при температурах 900С и выше [16].", "en": "The treatment at a higher temperature (600–800°C) also induces donor activity (thermal donors II or new thermal donors), which decay at a temperature of ~900°C or higher [16]." }

{ "ru": "В ряде случаев термическая обработка приводит к образованию термоакцепторов, которые сопутствуют термодонорам-II [16].", "en": "In some cases, the heat treatment leads to the formation of thermal acceptors, which accompany thermal donors II [16]." }

{ "ru": "Теоретическое обоснование этих моделей основывалось на классическом подходе с использованием теории зарождения и роста частиц второй фазы в твердых телах.", "en": "These models were theoretically justified based on the classical approach using the theory of nucleation and growth of second-phase particles in solids." }

{ "ru": "Небольшой объем статьи не позволяет провести анализ этих моделей на уровне, который был проведен, например, в [16, 18].", "en": "For the sake of brevity, we do not present a detailed analysis of these models; it was performed, e.g., in [16, 18]." }

{ "ru": "Однако, суммируя полученные результаты, можно сказать, что термодоноры-I представляют собой комплексы кислорода и кремния и являются начальной стадией (стадией образования) преципитатов.", "en": "However, having summarized the results, one can state that thermal donors I are oxygen and silicon complexes and also the initial (formation) stage of precipitates." }

{ "ru": "В то же время термодоноры-II являются преципитатами кислорода на стадиях их роста и коалесценции [16].", "en": "At the same time, thermal donors II are oxygen precipitates in their growth and coalescence stages [16]." }

{ "ru": "Некоторые авторы пришли к заключению, что термоноры-I и термодоноры-II имеют одинаковую природу [19].", "en": "Some researchers suggested that thermal donors I and thermal donors II have identical nature [19]." }

{ "ru": "Была применена модель твердого тела Власова к процессам комплексообразования при термической обработке кремниевых кристаллов.", "en": "The Vlasov model of solids was applied to the complexing processes during the heat treatment of silicon crystals." }

{ "ru": "В качестве примера для расчета были использованы те же параметры кристала, что и в [20].", "en": "As an example, the calculation was performed using the same crystal parameters as in [20]." }

{ "ru": "В этом случае можно сравнить результаты расчетов, полученные при классическом и вероятностном подходах.", "en": "In this case, the calculation results obtained within the classical and probabilistic approaches can be compared." }

{ "ru": "Совместное использование обоих подходов позволяет по-новому взглянуть на уже известные факты и открыть новые явления и закономерности при изучении реальных твердых тел.", "en": "The joint use of both approaches makes it possible to consider the known facts from a new point of view and discover new phenomenons and regularities when studying real solids." }

{ "ru": "В [20] показано, что кинетика преципитации при нагреве кристалла аналогична кинетике преципитации при его охлаждении в ходе выращивания.", "en": "It was shown in [20] that the precipitation kinetics during the heating of a crystal is similar to that upon its cooling during the growth." }

{ "ru": "Минимальных значений критических радиусов преципитатов можно достичь в начальном состоянии при Т = 730 K (минимальная температура образования структурных несовершенств в соответствии с классической теорией зарождения и роста частиц второй фазы в твердых телах), и они увеличиваются с увеличением температуры.", "en": "The minimum critical radii of precipitates can be achieved in the initial state at T = 730 K (the minimum temperature of formation of structural defects in accordance with the classical theory of nucleation and growth of second-phase particles in solids); they increase with an increase in temperature." }

{ "ru": "Сделан вывод, что во время термической обработки одновременно возможны образование и рост преципитатов.", "en": "It was concluded that the formation and growth of precipitates may simultaneously occur during the heat treatment." }

{ "ru": "Однако применение модели твердого тела Власова к процессам комплексообразования при термической обработке кремниевых кристаллов дает несколько иной результат.", "en": "However, the application of the Vlasov model of solids to the complexing processes during the heat treatment of silicon crystals yields somewhat different result." }

{ "ru": "Решение уравнения (4) имеет простую и ясную форму, представленную на рисунке 1.", "en": "The solution to Eq. (4) has a simple and clear form (Fig. 1)." }

{ "ru": "В соответствии с моделью Власова для твердых тел процесс комплексообразования при температуре Т = 730 K, соответствующей средней температуре образования термодоноров, маловероятен.", "en": "According to the Vlasov model for solids, the complexing process at temperature T = 730 K, corresponding to the mean temperature of the formation of thermal donors, is unlikely." }

{ "ru": "Комплексообразование в кремнии при термической обработке возможно только при высоких температурах [15].", "en": "Complexing in silicon during the heat treatment can occur only at high temperatures [15]." }

{ "ru": "Рисунок 1 показывает, что преципитаты не образуются при температурах, обычно используемых при технологической обработке.", "en": "Figure 1 shows that precipitates are not formed at temperatures that are generally used in technological treatments." }